IRF5803TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：3.4 A
Rds上漏源导通电阻：190毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：25 nC
Pd-功率耗散：1.3 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF5803TRPBF SP001564566
单位重量：20毫克
特征
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面贴装
提供卷带包装
收费低
无铅
不含卤素
描述
这些来自国际整流器公司（International Rectifier）
的P沟道HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技
术来实现每硅面积的极低导通电阻。 这一好处为
设计人员提供了一种非常高效的设备，可用于电池和负载管理应用。
TSOP-6封装及其定制的引线框架可生产HEXFET®
功率MSFET，其RDS（on）比类似尺寸的SOT-23
小60％。 该封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵
的应用。 与SOT-23相比，它独特的散热设计和RDS
（on）降低使电流处理能力提高了近300％。
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
-40 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
- 3.4 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-2.7 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
- 27 |
|
|
PD @TA= 25°C |
Maximum Power Dissipation ƒ |
2.0 |
W |
|
PD @TA= 70°C |
Maximum Power Dissipation ƒ |
1.3 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
16 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRF5803TRPBF
IR
TSOP-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
