IRFB7434PBF MOSFET ▊进口原装▊现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：317 A
Rds上漏源导通电阻：1.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
MOSFETQg-血浆甲醛：324 nC
MOSFETPd-功率耗散：294 W
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
高度：15.65毫米
长度：10毫米
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFB7434PBF SP001575514
单位重量：6 g

应用
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC / DC和AC / DC转换器
DC / AC逆变器
好处
改进的Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅*
符合RoHS，无卤素*

绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	317	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	224j
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Wire Bond Limited)	195
IDM	Pulsed Drain Current ‚	1270
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	294	W
	Linear Derating Factor	1.96	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw	10 lbf·in (1.1 N·m)

雪崩特征

EAS (Thermally limited)	Single Pulse Avalanche Energy ƒ	490	mJ
EAS (Thermally limited)	Single Pulse Avalanche Energy ‰	1098	mJ
IAR	Avalanche Current ‚	See Fig 15, 16, 23a, 23b	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy ‚	See Fig 15, 16, 23a, 23b	mJ

型号/规格

IRFB7434PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装