IRLB4132PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：150 A
Rds漏源导通电阻：2.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.35 V
Qg-血浆甲醛：54 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：140 W
通道模式：增强
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：190 S
下降时间：36 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：92 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：25 ns
典型终止时间：23 ns
零件号别名：IRLB4132PBF SP001558130
单位重量：1 g

应用
针对UPS /逆变器应用进行了优化
低压电动工具
好处
UPS/逆变器应用最佳性能
在4.5V VGS时具有非常低的RDS（on）
超低门阻抗
全面表征雪崩电压和电流
无铅，符合RoHS标准
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	150„	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	100
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	78
IDM	Pulsed Drain Current	620
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation †	140	W
P_D @T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation †	68	W
	Linear Derating Factor	0.90	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw	10 lbf·in (1.1 N·m)

型号/规格

IRLB4132PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装