IRF540NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:33 A
Rds上漏源导通电阻:44毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:47.3 nC
Pd-功率耗散:3.8 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:4.4毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:9.25毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF540NSTRLPBF SP001563324
单位重量:1.500克
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
先进的HEXFET®功率MOSFET
国际整流器公司利用先进的处理技术来实现每个硅面积的极低导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面贴装电源套件,能够
可容纳最大尺寸为HEX-4的模具。 在现有的任何表面贴装封装中,它都具有最高的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低,因此适合于大电流应用,并且会耗散
在典型的表面贴装应用中达到2.0W。
通孔版本(IRF540NL)可用于薄型应用。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0

33

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0

23

IDM

Pulsed Drain Current CD0

110

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

130

W

 

Linear Derating Factor

0.87

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

土 20

V

IAR

Avalanche CurrentCD

16

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

13

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt cr0

7.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF540NSTRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装