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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道,P沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:5.2 A,4.3 A
Rds上漏源导通电阻:70毫欧,140毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV
Qg-甲醛甲醛:20 nC,22 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N通道,1 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-应力:8.3 S,4 S
下降时间:51 ns,33 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:42 ns,26 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:32 ns,51 ns
典型中断时间:9 ns,8.4 ns
零件号别名:IRF7307TRPBF SP001574744
单位重量:506.600毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•双N和P频道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。
这种优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人
员提供了一种非常有效的器件,可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改,以增强热特性和多芯片能力,
使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这些改进,可以在一块板子空间大大减少的应用中使用多种设备。
该封装设计用于气相,红外或波峰焊技术。 在典型的PCB安装应用中,功耗可能大于0.8W。
IRF7307TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装