IRL520NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：10 A
Rds上漏源导通电阻：180毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：13.3 nC
Pd-功率耗散：3.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL520NSTRLPBF SP001567056
单位重量：4 g
特征
逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
表面安装（IRL520NS）
低剖面通孔（RL520NL）
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术，
以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点，加上HEXFET
功率mosfet众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，
为设计者提供了一个非常方便和可靠的设备，可用于多种
应用中D2pak是一个表面安装的功率包，可用于尺寸高达
HEX-4的通用模具，它提供了最大的功率在任何现有的表面
贴装封装中的性能和的电阻。2PAK适用于大电流a应用，
因为其最大电流为2。在典型的表面贴装应用中，OV具有较
低的内部连接电阻，并且可以扩展通孔型（IRL52ONL）可用于低剖面应用。
最大绝对额定值
Symbol
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
350CD
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
250CD
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)
195
IDM
Pulsed Drain Current 0
1390
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
380
W
Linear Derating Factor
2.5
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
V
dv/dt
Peak Diode Recovery ®
2.0
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
300
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
10lb·in (1.1N·m)
IRL520NSTRLPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
