IRF7855TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管正极:N正极
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:12 A
Rds漏源导通电阻:7.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.9 V
Qg-血浆甲醛:26 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N掺杂
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:14 S
下降时间:12 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:13 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:16 ns
典型起始延迟时间:8.7 ns
零件号别名:IRF7855TRPBF SP001555708
单位重量:506.600毫克
应用领域
•隔离式DC-DC转换器中桥拓扑中的主侧开关
•推挽式拓扑中的主侧开关,用于18-36Vin隔离式DC-DC转换器
•用于15Vout的二次侧同步整流开关
•适用于48V非隔离同步降压DC-DC应用
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计,(请参见应用笔记AN1001)
•完全表征的雪崩电压和电流

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

60

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

12

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

8.7

IDM

Pulsed Drain Current G)

97

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation 8)

2.5

W

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt @

9.9

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C


型号/规格

IRF7855TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装