IRF7341TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：4.7 A
Rds上漏源导通电阻：56毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-血浆甲醛：24 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：7.9 S
下降时间：13 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：3.2 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：32 ns
典型起始延迟时间：8.3 ns
零件号别名：IRF7341TRPBF SP001554204
单位重量：506.600毫克
特征

•第五代技术
•超低导通电阻
•双N沟道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现极低的每硅面积导通电阻。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择。通过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用中使用多种设备。该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于0.8W。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain- Source Voltage	55	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	4.7	A
I_D @ T_C = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	3.8
IDM	Pulsed Drain Current CD	38
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	2.0	w
P_D @T_C = 70°C	Power Dissipation	1.3	w
	Linear Derating Factor	0.016	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
VGSM	Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10μs	30	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	72
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	5.0	V/ns
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRF7341TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装