IRFP3703PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:210 A
Rds上漏源导通电阻:2.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:209 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:230 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
类型:Smps MOSFET
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
下降时间:24 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:123 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:53 ns
典型中断时间:18 ns
零件号别名:IRFP3703PBF SP001556744
单位重量:38 g
应用领域
•同步整流
•主动ORing
•无铅
好处
•超低导通电阻
•低栅极阻抗,以减少开关损耗
•完全雪崩等级
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

210 @

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

100 @

IDM

Pulsed Drain Current CD

1000

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

230

W

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

3.8

 

Linear Derating Factor

1.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ®

5.0

V/ns

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case

–––

0.65

 

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

0.24

–––

RqJA

Junction-to-Ambient

–––

40

典型的SMPS拓扑
•具有同步整流功能的正激和桥式转换器,适用于电信和工业应用
•采用同步整流的离线大功率AC / DC转换器

型号/规格

IRFP3703PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装