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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:210 A
Rds上漏源导通电阻:2.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:209 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:230 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
类型:Smps MOSFET
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
下降时间:24 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:123 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:53 ns
典型中断时间:18 ns
零件号别名:IRFP3703PBF SP001556744
单位重量:38 g
应用领域
•同步整流
•主动ORing
•无铅
好处
•超低导通电阻
•低栅极阻抗,以减少开关损耗
•完全雪崩等级
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
210 @ |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
100 @ |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
1000 |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
230 |
W |
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
3.8 |
|
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ® |
5.0 |
V/ns |
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJC |
Junction-to-Case |
––– |
0.65 |
°C/W |
RqCS |
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface |
0.24 |
––– |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
––– |
40 |
IRFP3703PBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装