IRFB4127PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：76 A
漏源导通电阻：20 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：100 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：375 W
MOSFET通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：79 S
下降时间：22 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：18 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：56 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：IRFB4127PBF SP001560212
单位重量：6 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	76	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	54
IDM	Pulsed Drain Current CD	300
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	375	W
	Linear Derating Factor	2.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery CT	57	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb·in (1.1N·m)

型号/规格

IRFB4127PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装