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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-6
晶体管极性:P-Channel
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:15 A
漏源导通电阻:31 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Qg-血浆甲醛:12 nC
Pd-功率耗散:9.6 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.9毫米
长度:2 mm
晶体管类型:1 P通道
宽度:2毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLHS2242TRPBF SP001568502
单位重量:33毫克
应用领域
电池应用的充放电开关
系统/负载开关
特征
对PCB的低热阻(≤13°C / W)
薄型(≤1.0mm)
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1,工业资格
好处
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
-20 |
V |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±12 |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
-7.2 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
-5.8 |
|
ID @ TC(Bottom) = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
-15®0 |
|
ID @ TC(Bottom) = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
-9.8®0 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V (Wirebond Limited) |
-8.50 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-34 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (i) |
2.1 |
W |
PD @TC(Bottom) = 25°C |
Power Dissipation (i) |
9.6 |
|
|
Linear Derating Factor (i) |
0.02 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRLHS2242TRPBF
IR
PQNF-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装