IRFL024NTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-223-4
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：4 A
Rds上漏源导通电阻：75毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：12.2 nC
Pd-功率耗散：2.1 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.6毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.5毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2500
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFL024NTRPBF SP001575806
单位重量：112毫克
特征
•表面贴装
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器
件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠
的器件，可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表面
安装而设计。 与其他SOT或SOIC封装一样，其独特的封装
设计可轻松实现自动拾取和放置，但由于散热片的凸片
尺寸较大，因此具有改进的热性能的额外优势。 在典型
的表面贴装应用中，功耗可能为1.0W。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V** |
4.0 |
A |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V* |
2.8 |
|
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V* |
2.3 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
11.2 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (PCB Mount)** |
2.1 |
W |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (PCB Mount)* |
1.0 |
W |
|
|
Linear Derating Factor (PCB Mount)* |
8.3 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
214 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
2.8 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD* |
0.1 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRFL024NTRPBF
IR
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
