IRFL4105TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-223-4
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：3.7 A
Rds上漏源导通电阻：45毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：23 nC
Pd-功率耗散：2.1 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.6毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2500
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFL4105TRPBF SP001551996
单位重量：112毫克
特征

表面贴装
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
快速切换
完全雪崩等级
无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

可实现每硅面积极低的导通电阻。这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠

的器件，可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表

面安装而设计。与其他SOT或SOIC封装一样，其独特

的封装设计可轻松实现自动拾取和放置，但由于有较

大的散热片，因此具有改进的热性能的额外优势。

在典型的表面贴装应用中，功耗可能为1.0W。
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V †	5.2	A
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V …	3.7
I_D @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V …	3.0
IDM	Pulsed Drain Current	30
P_D @T_A = 25°C	Maximum Power Dissipation (PCB Mount) †	2.1	W
P_D @T_A = 25°C	Maximum Power Dissipation (PCB Mount) …	1.0	W
	Linear Derating Factor (PCB Mount) …	8.3	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚	110	mJ
IAR	Avalanche Current	3.7	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy	0.10	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ƒ	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFL4105TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOT-223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装