AUIRFR2905Z MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：59 A
Rds上漏源导通电阻：14.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：29 nC
最小工作温度：-55 C
Pd-功率耗散：110 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：35 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：66 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：31 ns
典型起始延迟时间：14 ns
零件号别名：AUIRFR2905Z SP001518150
单位重量：550毫克
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，
利用最新的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。
此设计的其他功能是175°C的结温，快速的开关
速度和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合，
使该设计成为一种非常有效且可靠的器件，可用于汽车应用以及各种其他应用。
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
59‰ |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
42‰ |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
42 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
240 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
110 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.72 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ |
55 |
mJ |
|
EAS (Tested) |
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value † |
82 |
|
|
IAR |
Avalanche Current |
See Fig.15,16, 12a, 12b |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy … |
mJ |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
AUIRFR2905Z
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
