IRF9362TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:P-Channel
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:8 A
Rds上漏源导通电阻:17毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:13 nC
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF9362TRPBF SP001555840
单位重量:540毫克
特征

行业标准的SO-8封装
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
产生的好处
多厂商兼容性
环保
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

-30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

±20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-8.0

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-6.4

IDM

Pulsed Drain Current CD

-64

PD @TA = 25°C

Power Dissipation ®

2.0

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation ®

1.3

 

Linear Derating Factor

0.016

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJL

Junction-to-Drain Lead Ci)  

–––

20

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ©

–––

62.5

雪崩特性

 

Parameter

Typ.

Max.

Units

EAS

Single Pulse Avalanche Energy @

–––

94

mJ

IAR

Avalanche Current G)

–––

-6.4

A

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

Conditions

IS

Continuous Source Current

(Body Diode)

–––

–––

-2.0

 

 

A

MOSFET symbol D

showing the

integral reverse G

p-n junction diode. S

ISM

Pulsed Source Current

(Body Diode) G)

–––

–––

-64

VSD

Diode Forward Voltage

–––

–––

-1.2

V

TJ = 25°C, IS = -2.0A, VGS = 0V CT

trr

Reverse Recovery Time

–––

32

48

ns

TJ = 25°C, IF = -2.0A, VDD = -24V

di/dt = 100/μs CT

Qrr

Reverse Recovery Charge

–––

20

30

nC

型号/规格

IRF9362TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装