IRF7311TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:6.6 A
Rds漏源导通电阻:30毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV
Qg-血浆甲醛:18 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:20 S
下降时间:31 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:17 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:38 ns
典型起始延迟时间:8.1 ns
零件号别名:IRF7311TRPBF SP001574720
单位重量:506.600毫克
特征

第五代技术
超低电阻
双N沟道MOSFET
表面贴装
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代HEXFE Ts采用先进的加工技术,以实现每硅面积的极低电阻。

这一优点,加上HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计,为设

计人员提供一个非常高效和可靠的设备,用于各种应用程序SO-8通过定制的引线框架

进行了改进,以增强热特性和多模能力,使其在各种电源应用中成为理想选择。通过

这些改进,多功能设备可以在具有显著扩展的板空间的应用程序中使用。该封装设计

用于气相、红外或波峰焊接技术。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

20

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 12

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

6.6

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

5.3

ID @ TC(Bottom) = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

40

ID @ TC(Bottom) = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

40

IDM

Pulsed Drain Current 

160

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.0

W

PD @TC(Bottom) = 25°C

Power Dissipation

1.3

 

Linear Derating Factor

0.022

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C


型号/规格

IRF7311TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装