IRLML6346TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：3.4 A
Rds漏源导通电阻：63毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：2.9 nC
Pd-功率耗散：1.3 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLML6346TRPBF SP001578770
单位重量：1.400克
应用程序
负载/系统开关
特征
行业标准的SOT-23封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格认证
好处
多厂商兼容性
环保的
可靠性更高
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-Source Voltage |
30 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
3.4 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
2.7 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
17 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
1.3 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Maximum Power Dissipation |
0.8 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.01 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 12 |
V |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient @ |
––– |
100 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (t<10s) ® |
––– |
99 |
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
Conditions |
|
IS |
Continuous Source Current (Body Diode) |
––– |
––– |
1.3 |
A |
MOSFET symbol D showing the integral reverse G S p-n junction diode. |
|
ISM |
Pulsed Source Current (Body Diode) CD |
––– |
––– |
17 |
||
|
VSD |
Diode Forward Voltage |
––– |
––– |
1.2 |
V |
TJ = 25°C, IS = 3.4A, VGS = 0V G) |
|
trr |
Reverse Recovery Time |
––– |
8.8 |
13 |
ns |
TJ = 25°C, VR = 24V, IF=1.3A di/dt = 100A/μs G) |
|
Qrr |
Reverse Recovery Charge |
––– |
2.7 |
4.1 |
nC |
IRLML6346TRPBF
IR
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
