IRFL024ZTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-223-4
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：5.1 A
Rds上漏源导通电阻：57.5毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：14 nC
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.6毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.5毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-加速度：6.2 S
下降时间：23 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：21 ns
工厂包装数量：2500
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFL024ZTRPBF SP001560488
单位重量：112毫克
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•150°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
该HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，
使每个硅面积的导通电阻极低。 此设计的附加
功能是在150°C的结工作温度，快速的开关速度
和改进的重复雪崩额定值方面实现。 这些功能
相结合，使该设计成为一种非常有效和可靠的
设备，可用于多种应用。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) (J) |
5.1 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0 |
4.1 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
41 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation 0 |
2.8 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation ® |
1.0 |
W |
|
|
Linear Derating Factor 0 |
0.02 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS (Thermally limited) |
Single Pulse Avalanche Energy@ |
13 |
mJ |
|
EAS (Tested ) |
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ® |
32 |
|
|
IAR |
Avalanche Current CD |
See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy Ci) |
mJ |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRFL024ZTRPBF
IR
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
