IRFU3410PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-251-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：31 A
Rds上漏源导通电阻：39毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：37 nC
Pd-功率耗散：110 W
封装：Tube
配置：单
高度：6.22毫米
长度：6.73 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：2.38毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFU3410PBF SP001578398
单位重量：4 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流

最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	100	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	31®	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	22
IDM	Pulsed Drain CurrentCD	125
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	110	W
P_D @T_A = 25°C	Maximum Power Dissipation	3.0	W
	Linear Derating Factor	0.71	mW°C
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt a>	15	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJC	Junction-to-Case	–––	1.4	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient (PCB mount)*	–––	40
RqJA	Junction-to-Ambient	–––	110

型号/规格

IRFU3410PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-251

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装