IRFB4332PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：250 V
Id-连续直流电流：60 A
Rds上漏源导通电阻：33毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-血浆甲醛：99 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：390 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：100 S
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFB4332PBF SP001556040
单位重量：6 g
特征
先进的工艺技术
针对PDP维持，能量回收和通道切换应用优化的关键参数
低EPULSE等级可减少PDP维持，能量回收和通道开关应用中的功耗
QG低，响应速度快
高重复峰值电流能力，可确保可靠运行
短的上升和下降时间以实现快速切换
175°C的工作结温可增强坚固性
重复的雪崩能力，具有坚固性和可靠性

描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为Sustain设计。

等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。

该MOSFET利用最新的处理技术来实现较低的

每硅面积导通电阻和低EPULSE额定值。

该MSFET的其他功能是175°C的工作结温和

高重复峰值电流能力。这些特性相结合，

使该MSFET成为用于PDP驱动应用的高效，

坚固和可靠的器件。
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 30	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	60	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	42
IDM	Pulsed Drain Current	230
I_RP @ T_C = 100°C	Repetitive Peak Current …†	120
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	390	W
P_D @T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	2.6	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFB4332PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装