IRLR8743TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:160 A
Rds上漏源导通电阻:3.9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:39 nC
Pd-功率耗散:135 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
MOSFET工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLR8743TRPBF SP001552904
单位重量:550毫克
应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•具有同步整流功能的高频隔离式DC-DC转换器,用于电信和工业用途
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

160®

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

113®

IDM

Pulsed Drain Current CD

640

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation @

135

W

PD @TC = 100°C

Maximum Power Dissipation @

68

 

Linear Derating Factor

0.90

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

热阻

 

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case

–––

1.11

 

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount) @ 

–––

50

RqJA

Junction-to-Ambient

–––

110

型号/规格

IRLR8743TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装