IRF7313TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：6.5 A
Rds上漏源导通电阻：29毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-血浆甲醛：22 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：14 S
下降时间：17 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：8.9 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：26 ns
典型起始延迟时间：8.1 ns
零件号别名：IRF7313TRPBF SP001562160
单位重量：540毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•双N沟道MOSFET
•表面贴装
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件
设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的
器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性和
多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这
些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用中使用多种设备。
该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。
最大绝对额定值
|
|
Symbol |
Maximum |
Units |
|
|
Drain-Source Voltage |
VOS |
30 |
V |
|
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
士 20 |
||
|
Continuous Drain Current(i) |
TA = 25°C |
ID |
6.5 5.2 |
A |
|
TA = 70°C |
||||
|
Pulsed Drain Current |
IOM |
30 |
||
|
Continuous Source Current (Diode Conduction) |
IS |
2.5 |
||
|
Maximum Power Dissipation (i) |
TA = 25°C |
PD |
2.0 |
w |
|
TA = 70°C |
1.3 |
|||
|
Single Pulse Avalanche Energy CT |
EAS |
82 |
mJ |
|
|
Avalanche Current |
IAR |
4.0 |
A |
|
|
Repetitive Avalanche Energy |
EAR |
0.20 |
mJ |
|
|
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
dv/dt |
5.8 |
V/ ns |
|
|
Junction and Storage Temperature Range |
TJ, TSTG |
-55 to + 150 |
°C |
|
IRF7313TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
