IRFP4229PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：250 V
Id-连续直流电流：44 A
Rds上漏源导通电阻：46毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-血浆甲醛：72 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：310 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：83 S
下降时间：19 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：27 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：44 ns
典型起始延迟时间：25 ns
零件号别名：IRFP4229PBF SP001578046
单位重量：38 g
特征
•先进的工艺技术
•针对PDP维持，能量回收和通道切换应用优化的关键参数
•低EPULSE额定值，以减少PDP维持，能量回收和通行开关应用中的功耗
•低质量保证，快速响应
•高重复峰值电流能力，确保可靠运行
•缩短下降和上升时间以实现快速切换
•175°C的工作结温，以提高坚固性
•重复的雪崩能力，具有坚固性和可靠性
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为Sustain设计。
等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。
该MOSFET利用最新的处理技术来实现较低的
每硅面积导通电阻和低EPULSE额定值。
该MSFET的其他功能是175°C的工作结温
和高重复峰值电流能力。 这些特性相结合，
使该MSFET成为用于PDP驱动应用的高效，坚固和可靠的器件。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±30 |
V |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
44 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
31 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
180 |
|
|
IRP @ TC = 100°C |
Repetitive Peak Current CT |
87 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
310 |
W |
|
PD @TC = 100°C |
Power Dissipation |
150 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
2.0 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-40 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature for 10 seconds |
300 |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw |
10lb"in (1.1N"m) |
N |
IRFP4229PBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
