AUIRFR5305 MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：31 A
Rds上漏源导通电阻：65毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：42 nC
最小工作温度：-55 C
Pd-功率耗散：110 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：63 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：66 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：39 ns
典型起始延迟时间：14 ns
零件号别名：AUIRFR5305 SP001517358
单位重量：4 g

特征
先进的平面技术
导通电阻低
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种蜂窝平面设计是

专门为汽车应用而设计的，它利用最新的处理

技术来实现每硅面积的低导通电阻。这种优势

与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关

速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员

提供了一种非常有效和可靠的器件，可用于汽车和其他各种应用。
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-31	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-22
IDM	Pulsed Drain Current †	-110
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	110	W
	Linear Derating Factor	0.71	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚†	280	mJ
IAR	Avalanche Current †	-16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy	11	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dtƒ†	-5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

型号/规格

AUIRFR5305

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装