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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:76 A
Rds上漏源导通电阻:3.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:20 nC
Pd-功率耗散:3.1 W
商标名:StrongIRFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.83毫米
长度:6 mm
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5毫米
商标:Infineon / IR
湿度敏感性:是
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFH7934TRPBF SP001570924
应用领域
•用于笔记本处理器电源的同步降压转换器的控制MOSFET
•用于网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MOSFET
好处
•在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)
•低门收费
•完全表征的雪崩电压和电流
•100%经过RG测试
•无铅(符合260°C回流焊标准)
•符合RoHS(无卤素)
•低热阻
•大源头引线,焊接更可靠
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
24 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
19 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
76 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
190 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation � |
3.1 |
W |
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation � |
2.0 |
|
|
Linear Derating Factor � |
0.025 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJC |
Junction-to-Case ® |
––– |
2.9 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient � |
––– |
40 |
IRFH7934TRPBF
IR
PQFN-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装