IRFH7934TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:76 A
Rds上漏源导通电阻:3.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:20 nC
Pd-功率耗散:3.1 W
商标名:StrongIRFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.83毫米
长度:6 mm
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5毫米
商标:Infineon / IR
湿度敏感性:是
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFH7934TRPBF SP001570924
应用领域
•用于笔记本处理器电源的同步降压转换器的控制MOSFET
•用于网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MOSFET
好处
•在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)
•低门收费
•完全表征的雪崩电压和电流
•100%经过RG测试
•无铅(符合260°C回流焊标准)
•符合RoHS(无卤素)
•低热阻
•大源头引线,焊接更可靠

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

24

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

19

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

76

IDM

Pulsed Drain Current CD

190

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

3.1

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation

2.0

 

Linear Derating Factor

0.025

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case ®

–––

2.9

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient

–––

40

型号/规格

IRFH7934TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装