IRFP054NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：72 A
漏源导通电阻：12 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：86.7 nC
Pd-功率耗散：130 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP054NPBF SP001566178
单位重量：38 g
特征

先进工艺技术
动态d/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值

无铅

描述

来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术，

以实现每硅面积的极低导通电阻。这个综合收益HEXFET

功率mosfet以其快速的开关速度和坚固的器件设计而闻名，

为设计者提供了一个非常高效和可靠的设备，可用于多

种应用中。在功率水平较高而不使用TO-220设备的商业

工业应用中，首选TO-247封装。TO-247与早期的TO-218

类似，但由于其独立的安装孔而优于早期的TO-218。

绝对最大额定值sparametermaxunitsip e To=25C连续漏极电流，

Vos 10V81To=100C连续漏极电流，Ves 10V57脉冲漏极电流①⑤

Po QTC=25C功耗170线性降额系数对源电压土20V单脉冲雪崩能量

②⑤360雪崩电流①重复雪崩能量ODV/dtPeak二极管恢复d/DT35.0V/N

工作结和55至+175存储温度范围焊接温度，持续10秒300

（距壳体安装扭矩，6-32或M3 srew10 Ibf in（1。1NM）

热阻参数TVPMAxUnitsrerFunction-to-case0.90 case-to-sink。

平的。润滑表面0.24oCMJ功能到环境40°C。