IRF3808STRRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：106 A
Rds上漏源导通电阻：7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：150 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：200 W
通道模式：增强
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-加速度：100 S
下降时间：120 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：140 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：68 ns
典型起始延迟时间：16 ns
零件号别名：IRF3808STRRPBF SP001570154
单位重量：4 g
好处
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
这款先进的平面条纹HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，

使每个硅面积的导通电阻极低。该HEXFET功率MOSFET

的其他特点是结温为175°C，RJC低，开关速度快，

重复雪崩额定值得到改善。这种结合使该设计成为

在多种应用中使用的极其有效和可靠的选择。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	106	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	75
IDM	Pulsed Drain Current CD	550
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	430	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	82	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy®	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	5.5	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

型号/规格

IRF3808STRRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装