IRF6648TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MN
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：86 A
Rds上漏源导通电阻：5.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：36 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：89 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：13 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：29 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：28 ns
典型起始延迟时间：16 ns
零件号别名：IRF6648TRPBF SP001570312
单位重量：87.050毫克
特征
符合RoHs
无铅（符合260°C回流焊标准）
Specific专用MOSFET
针对5V至12V输出的同步整流进行了优化
Conduct低传导损耗
理想的24V输入初级侧正激转换器
Profile薄型（<0.7mm）
双侧冷却兼容
with与现有的表面贴装技术兼容

描述
IRF6648PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，从而在具有SO-8占位面积和仅0.7 mm外形的封装中实现了的导通状态电阻。 DirectFET™封装与电源应用，PCB组装设备以及气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。关于制造方法和工艺，遵循应用笔记AN-1035。 DirectFET™封装允许双面冷却，以最大程度地提高电源系统中的热传递，将以前的最佳热阻提高80％。
IRF6648PbF是用于5-12Vout同步整流电路的优化开关，也是用作24Vin正激转换器的初级侧开关的理想选择。器件总损耗的减少与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温，这是提高系统可靠性的关键，并使该器件成为高性能的理想选择。