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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:10 A
Rds上漏源导通电阻:13毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-血浆甲醛:29 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:27 S
下降时间:3.2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:1.9 ns
MOSFET工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:21 ns
典型起始延迟时间:10 ns
零件号别名:IRF7470TRPBF SP001570336
单位重量:540毫克
应用领域
•具有同步整流功能的高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•超低门阻抗
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•完全表征的雪崩电压和电流
最大绝对额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-Source Voltage |
40 |
V |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 12 |
V |
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
10 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
8.5 |
|
IDM |
Pulsed Drain CurrentCD |
85 |
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipationcri |
2.5 |
W |
PD @TA = 70°C |
Maximum Power Dissipationcri |
1.6 |
W |
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
TJ , TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJL |
Junction-to-Drain Lead |
––– |
20 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient © |
––– |
50 |
IRF7470TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装