IRF3710PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：57 A
Rds上漏源导通电阻：23毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：86.7 nC
Pd-功率耗散：200 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF3710PBF SP001551058
单位重量：6 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
International Rectifier的高级HEXFET®功率MOSFET利用
先进的处理技术来实现极低的导通电阻。
硅面积。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的
快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员
提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。
它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和的导通电阻。
D2Pak内部连接少，因此适合大电流应用
电阻，在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
通孔版本（IRF3710L）可用于薄型应用。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V0 |
57 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V0 |
40 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD0 |
180 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
200 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.3 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
28 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
20 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt cr0 |
5.8 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case |
––– |
0.75 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady-state)** |
––– |
40 |
IRF3710PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
