IRF3710PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:57 A
Rds上漏源导通电阻:23毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:86.7 nC
Pd-功率耗散:200 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF3710PBF SP001551058
单位重量:6 g

特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
International Rectifier的高级HEXFET®功率MOSFET利用

先进的处理技术来实现极低的导通电阻。
硅面积。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的

快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员

提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装,能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。 

它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和的导通电阻。

 D2Pak内部连接少,因此适合大电流应用

电阻,在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。 

通孔版本(IRF3710L)可用于薄型应用。

最大绝对额定值

 

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V0

57

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V0

40

IDM

Pulsed Drain Current CD0

180

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

200

W

 

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

IAR

Avalanche CurrentCD

28

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

20

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt cr0

5.8

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

热阻

 

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case

–––

0.75

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady-state)**

–––

40

型号/规格

IRF3710PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装