IRLHM620TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：40 A
Rds漏源导通电阻：2.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.1 V
Qg-血浆甲醛：52 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：37 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.05毫米
长度：3.3毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：3.3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：58 S
下降时间：37 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：25 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：57 ns
典型起始延迟时间：7.5 ns
零件号别名：IRLHM620TRPBF SP001550432
应用领域
电池供电的直流电动机逆变器MOSFET
二次侧同步整流MOSFET
特征
低RDSon（<2.5m）
低热阻PCB（<3.4°C / W）
薄型（<1.0毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 12	V
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 4.5V	26	A
I_D @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 4.5V	21
ID @ TC(Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 4.5V	40†
ID @ TC(Bottom) = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 4.5V	40†
IDM	Pulsed Drain Current	160
P_D @T_A = 25°C	Power Dissipation …	2.7	W
PD @TC(Bottom) = 25°C	Power Dissipation …	37	W
	Linear Derating Factor …	0.022	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRLHM620TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装