IRLHM620TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
认证:

深圳市凯斯宇科技有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:40 A
Rds漏源导通电阻:2.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V
Qg-血浆甲醛:52 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:37 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.05毫米
长度:3.3毫米
晶体管类型:1 N沟道
类型:HEXFET功率MOSFET
宽度:3.3毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:58 S
下降时间:37 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:25 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:57 ns
典型起始延迟时间:7.5 ns
零件号别名:IRLHM620TRPBF SP001550432
应用领域
电池供电的直流电动机逆变器MOSFET
二次侧同步整流MOSFET
特征
低RDSon(<2.5m)
低热阻PCB(<3.4°C / W)
薄型(<1.0毫米)
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1,工业资格
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

20

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 12

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V

26

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V

21

ID @ TC(Bottom) = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V

40

ID @ TC(Bottom) = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V

40

IDM

Pulsed Drain Current 

160

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.7

W

PD @TC(Bottom) = 25°C

Power Dissipation

37

 

Linear Derating Factor

0.022

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C


型号/规格

IRLHM620TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装