IRF6795MTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MX
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：25 V
Id-连续直流电流：160 A
Rds上漏源导通电阻：2.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-血浆甲醛：35 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.8 W
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：100 S
下降时间：11 ns
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
上升时间：27 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：16 ns
典型起始延迟时间：16 ns
零件号别名：IRF6795MTRPBF SP001529342
特征

•符合RoHS标准，不含铅和无卤素
•集成单片肖特基二极管
•外形小巧（<0.7毫米）
•双面散热兼容
•超低封装电感
•针对高频开关进行了优化
•理想的CPU核心DC-DC转换器
•针对同步进行了优化。同步的FET插座。降压转换器
•低导通和开关损耗
•与现有的表面贴装技术兼容
•100％Rg测试
描述
IRF6795MPbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，从而在具有SO-8占位面积和仅0.7 mm外形的封装中实现了的导通状态电阻。 DirectFET封装与电源应用，PCB组装设备以及气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。关于制造方法和工艺，遵循应用笔记AN-1035。 DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高电源系统中的热传递，将以前的最佳热阻提高80％。
IRF6795MPbF平衡了业界领先的通态电阻，同时将栅极电荷降至，并具有超低封装电感，以减少传导和开关损耗。该部分包含一个集成的肖特基二极管，以减小体漏二极管的Qrr，从而进一步减少同步降压电路中的损耗。降低的损耗使该产品非常适合为大电流负载供电的高频/高效DC-DC转换器，例如最新一代的微处理器。 IRF6795MPbF已针对同步降压转换器的Sync FET插座中至关重要的参数进行了优化。