IRF9910TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
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无
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：10 A
Rds上漏源导通电阻：18.3 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF9910TRPBF SP001575370
单位重量：540毫克
应用领域
•用于台式机，服务器，图形卡，游戏机和机顶盒中的POL转换器的双SO-8 MOSFET
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•低门收费
•完全表征的雪崩电压和电流
•最大20V VGS。 门额定值
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
20 |
V |
|
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
||
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
10 |
12 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
8.3 |
9.9 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
83 |
98 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.0 |
W |
|
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
1.3 |
||
|
|
Linear Derating Factor |
0.016 |
W/°C |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead |
––– |
42 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ®� |
––– |
62.5 |
|
|
Parameter |
Typ. |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy 心 |
––– |
33 |
26 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current CD |
––– |
8.3 |
9.8 |
A |
IRF9910TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
