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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:DirectFET-ME
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:116 A
Rds漏源导通电阻:3.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V
Qg-萘甲酸:120 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:115 W
商标名:StrongIRFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.7毫米
长度:6.35毫米
MOSFET晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.05毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:190 S
下降时间:21 ns
湿度敏感性:是
产品类型:MOSFET
上升时间:38 ns
工厂包装数量:4800
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:53 ns
典型起始延迟时间:20 ns
零件号别名:IRF7580MTRPBF SP001551448
单位重量:300毫克
应用
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC/ DC和AC / DC转换器
DC/ AC逆变器
好处
改善门,雪崩和动态dv / dt耐用性
全面的电容和雪崩SOA
增强体二极管的dv / dt和di / dt能力
无铅,符合RoHS标准
最大绝对额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
114 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
72 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
452 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
96 |
W |
|
Linear Derating Factor |
0.78 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRF7580MTRPBF
IR
DIRECTFET
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装