IRF7425TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：15 A
Rds上漏源导通电阻：8.2毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：87 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7425TRPBF SP001555316
单位重量：540毫克
特征
行业标准的引脚排列SO-8封装
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS，无卤素
MSL1，消费者资格
好处
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain- Source Voltage |
-20 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-15 |
A |
|
ID @ TA= 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-12 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-60 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation Gl |
2.5 |
w |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation Gl |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
20 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 12 |
V |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Maximum Junction-to-AmbientGl |
50 |
°C/W |
|
|
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
Conditions |
||
|
IS |
Continuous Source Current (Body Diode) |
––– |
––– |
-2.5 |
A |
MOSFET symbol |
D
S |
|
|
showing the integral reverse G |
|
|||||||
|
ISM |
Pulsed Source Current (Body Diode) CD |
––– |
––– |
-60 |
||||
|
p-n junction diode. |
||||||||
|
VSD |
Diode Forward Voltage |
––– |
––– |
-1.2 |
V |
TJ = 25°C, IS = -2.5A, VGS = 0V 0 |
||
|
trr |
Reverse Recovery Time |
––– |
120 |
180 |
ns |
TJ = 25°C, IF = -2.5A di/dt = -100A/μs 0 |
||
|
Qrr |
Reverse Recovery Charge |
––– |
160 |
240 |
nC |
|||
IRF7425TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
