IRF7425TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:15 A
Rds上漏源导通电阻:8.2毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Qg-血浆甲醛:87 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7425TRPBF SP001555316
单位重量:540毫克
特征
行业标准的引脚排列SO-8封装
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS,无卤素
MSL1,消费者资格
好处
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain- Source Voltage

-20

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V

-15

 

A

ID @ TA= 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V

-12

IDM

Pulsed Drain Current CD

-60

PD @TA = 25°C

Power Dissipation Gl

2.5

w

PD @TA = 70°C

Power Dissipation Gl

1.6

 

Linear Derating Factor

20

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 12

V

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Max.

Units

RqJA

Maximum Junction-to-AmbientGl

50

°C/W

雪崩特性

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

Conditions

IS

Continuous Source Current

(Body Diode)

–––

–––

-2.5

 

A

MOSFET symbol

D

 

 

 

 

 

 

 

S

showing the

integral reverse G

 

ISM

Pulsed Source Current

(Body Diode) CD

–––

–––

-60

p-n junction diode.

VSD

Diode Forward Voltage

–––

–––

-1.2

V

TJ = 25°C, IS = -2.5A, VGS = 0V 0

trr

Reverse Recovery Time

–––

120

180

ns

TJ = 25°C, IF = -2.5A

di/dt = -100A/μs 0

Qrr

Reverse Recovery Charge

–––

160

240

nC

型号/规格

IRF7425TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装