IRF200P223 MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247AC-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：100 A
Rds上漏源导通电阻：11.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2 V
Qg-血浆甲醛：102 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：313 W
通道模式：增强
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
配置：单
晶体管类型：1 N沟道
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：93 S
下降时间：62 ns
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
上升时间：66 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：55 ns
典型起始延迟时间：16 ns
零件号别名：IRF200P223 SP001582440
单位重量：6 g
应用领域
UPS和逆变器应用
半桥和全桥拓扑
谐振模式电源
DC/ DC和AC / DC转换器
ORing和冗余电源开关
有刷和BLDC电机驱动器应用
电池供电电路
好处
改进了Gate，雪崩和动态dv / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dv / dt和di / dt能力
无铅符合RoHS标准; 无卤素

最大绝对额定值

Parameter	Symbol	Conditions	Values	Unit
Continuous Drain Current	ID	TC = 25°C, VGS @ 10V	100	A
Continuous Drain Current	ID	TC = 100°C, VGS @ 10V	71
Pulsed Drain Current	IDM	TC = 25°C	400
Maximum Power Dissipation	PD	TC = 25°C	313	W
Linear Derating Factor		TC = 25°C	2.1	W/°C
Gate-to-Source Voltage	VGS	-	± 20	V
Operating Junction and Storage Temperature Range	TJ TSTG	-	-55 to + 175	°C
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	-	-	300	°C
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw	-	-	10 lbf·in (1.1 N·m)	-

型号/规格

IRF200P223

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装