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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:16.6 A
Rds漏源导通电阻:7.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:24 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF8113TRPBF SP001554458
单位重量:540毫克
应用领域
•用于笔记本处理器电源的同步MOSFET
•用于网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流器MOSFET
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•低门收费
•完全表征的雪崩电压和电流
•100%经过RG测试
•无铅
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17.2 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
13.8 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
135 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation © |
2.5 |
W |
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation © |
1.6 |
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJL |
Junction-to-Drain Lead (1) |
––– |
20 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient ©(1) |
––– |
50 |
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy Q) |
––– |
48 |
mJ |
IAR |
Avalanche Current CD |
––– |
13.3 |
A |
IRF8113TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装