IRFL014NTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-223-4
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：1.9 A
Rds上漏源导通电阻：160毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：7 nC
Pd-功率耗散：2.1 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.6毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2500
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFL014NTRPBF SP001554878
单位重量：310毫克
特征
•表面贴装
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
International Rectifier的第五代HEXFET®MOSFET
利用先进的处理技术来实现极低的每硅面积导通电阻。
这项优势与HEXFET®功率MOSFET众所周知的快速
开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员
提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相，红外或波峰焊技术进行
表面贴装而设计。 与其他SOT或SOIC封装一样，其独特
的封装设计可轻松实现自动拾取和放置，但由于散热片的
凸片尺寸较大，因此具有改进的热性能的额外优势。
在典型的表面贴装应用中，功耗可能为1.0W。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V** |
2.7 |
A |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V* |
1.9 |
|
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V* |
1.5 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
15 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (PCB Mount)** |
2.1 |
W |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (PCB Mount)* |
1.0 |
W |
|
|
Linear Derating Factor (PCB Mount)* |
8.3 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
48 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
1.7 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD* |
0.1 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt a> |
5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRFL014NTRPBF
IR
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
