IRFR3504ZTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:77 A
Rds上漏源导通电阻:9毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-血浆甲醛:45 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:90 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:32 S
下降时间:38 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:74 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFR3504ZTRPBF SP001556956
单位重量:4 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术来

实现每硅面积的极低导通电阻。 此设计的其他功能

是175°C的结温,快速的开关速度和改进的重复雪

崩额定值。 这些功能相结合,使该设计成为一种非

常有效和可靠的设备,可用于多种应用。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

77

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

54

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

42

IDM

Pulsed Drain Current CD

310

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

90

W

 

Linear Derating Factor

0.60

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS (Thermally limited)

Single Pulse Avalanche Energy@

77

mJ

EAS (Tested )

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ®

110

IAR

Avalanche Current CD

See Fig.12a, 12b, 15, 16

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy Ci)  

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

10 lbfin (1.1Nm)

型号/规格

IRFR3504ZTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装