IRFP7530PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：195 A
Rds上漏源导通电阻：1.65 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3.7 V
Qg-萘甲酸：274 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：341 W
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：242 S
下降时间：104 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：141 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：172 ns
典型起始延迟时间：52 ns
零件号别名：IRFP7530PBF SP001560520
单位重量：38 g
应用
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC/ DC和AC / DC转换器
DC/ AC逆变器
好处
改进了Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅，符合RoHS标准
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
281 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
199 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current ‚ |
760 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
341 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
2.3 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw |
10 lbf·in (1.1 N·m) |
|
IRFP7530PBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
