IRF7501TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:Micro-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:2.4 A
Rds上漏源导通电阻:135毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Qg-萘甲酸:5.3 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.2 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.11毫米
长度:3 mm
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:2.6 S
下降时间:16 ns
湿度敏感性:是
产品类型:MOSFET
上升时间:24 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:15 ns
典型起始延迟时间:5.7 ns
零件号别名:IRF7501TRPBF SP001575316
特征

•第五代技术
•超低导通电阻
•双N沟道MOSFET
•超小型SOIC封装
•薄型(<1.1mm)可用于卷带包装
•快速切换
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,

以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠

的器件,可广泛用于各种应用中。
新的Micro8封装的面积仅为标准SO-8的一半,可提供

SOIC尺寸中最小的封装。 这使得Micro8成为印刷电路板

空间非常宝贵的应用的理想设备。 Micro8的薄型(<1.1mm)

将使其易于安装在极薄的应用环境中,例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-Source Voltage

20

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

2.4

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

1.9

IDM

Pulsed Drain Current CD

19

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation©

1.25

W

PD @TA = 70°C

Maximum Power Dissipation ©

0.8

W

 

Linear Derating Factor

0.01

W/°C

VGSM

Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10μs

16

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 12

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt 0

5.0

V/ns

TJ , TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

240 (1.6mm from case)

型号/规格

IRF7501TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

MSOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装