AUIRF7313QTR MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:6.9 A
Rds上漏源导通电阻:23毫欧
Qg-血浆甲醛:22 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:2.4 W
资质:AEC-Q101
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:AUIRF7313QTR SP001519208
单位重量:540毫克
特征
先进的平面技术
双N沟道MOSFET
导通电阻低
逻辑电平门驱动
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
无铅,符合RoHS
汽车合格*
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种蜂窝设计专门针对

汽车应用而设计,它利用最新的处理技术来实现

每硅面积的低导通电阻。 这种优势与HEXFET功率

MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的

器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常

有效和可靠的器件,可用于汽车和其他各种应用。

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-Source Voltage

30

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

6.9

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

5.8

IDM

Pulsed Drain Current 

58

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation

2.4

W

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)

450

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ƒ

3.6

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

°C

型号/规格

AUIRF7313QTR

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装