IRFP4768PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:250 V
Id-连续直流电流:93 A
Rds上漏源导通电阻:17.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:180 nC
MOSFET最小工作温度:-55 C
MOSFET最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:520 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:100 S
下降时间:110 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:160 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:57 ns
典型起始延迟时间:36 ns
零件号别名:IRFP4768PBF SP001571028
单位重量:38 g
应用
SMPS中的高效同步整流
不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
改进了Gate,雪崩和动态dV / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅,符合RoHS标准

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

93

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

66

IDM

Pulsed Drain Current 

370

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

520

W

 

Linear Derating Factor

3.4

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ƒ

24

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10 lbf·in (1.1 N·m)

型号/规格

IRFP4768PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装