IRF100B201 MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:192 A
Rds上漏源导通电阻:4.2毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-萘甲酸:170 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
钯-功率耗散:441 W
通道模式:增强
商标名:StrongIRFET
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:278 S
下降时间:100 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:97 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:110 ns
典型中断时间:17 ns
零件号别名:IRF100B201 SP001561498
单位重量:6 g
好处
改进了Gate,雪崩和动态dV / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅,符合RoHS,无卤素
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

192

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

136

IDM

Pulsed Drain Current 

690

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

441

W

 

Linear Derating Factor

2.9

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

TJ

TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10 lbf·in (1.1 N·m)

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case

–––

0.34

 

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

0.50

–––

RqJA

Junction-to-Ambient

–––

62

RqJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount) ˆ

–––

40

型号/规格

IRF100B201

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装