AUIRFR9024NTRL MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：11 A
Rds上漏源导通电阻：175毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：12.7 nC
最小工作温度：-55 C
Pd-功率耗散：38 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：37 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：55 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：23 ns
典型起始延迟时间：13 ns
零件号别名：AUIRFR9024NTRL SP001518586
单位重量：4 g
特征
先进的平面技术
导通电阻低
P通道
动态dv / dt额定值
150°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种蜂窝设计是专门针对

汽车应用而设计的，它利用最新的处理技术来实现

每硅面积的低导通电阻。这种优势与HEXFET功率

MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件

设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和

可靠的器件，可用于汽车和其他各种应用。
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-11	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-8
IDM	Pulsed Drain Current	-44
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	38	W
	Linear Derating Factor	0.30	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚	62	mJ
IAR	Avalanche Current	-6.6	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy	3.8	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dtƒ	-10	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

型号/规格

AUIRFR9024NTRL

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装