IRFI4019H-117P MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：8.7 A
Rds漏源导通电阻：80毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：13 nC
最小工作温度：-40 C
Pd-功率耗散：18 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：双
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：3.1 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：6.6 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：13 ns
典型起始延迟时间：7 ns
零件号别名：IRFI4019H-117P SP001560458
单位重量：6 g
特征
•集成半桥封装
•将零件数减少一半
•促进更好的PCB布局
•针对D类音频放大器应用优化的关键参数
•低RDS（ON）可提高效率
•较低的Qg和Qsw，以实现更好的THD和更高的效率
•低Qrr可获得更好的THD和更低的EMI
•在半桥配置放大器中向8负载提供每通道高达200W的功率
•无铅套餐

描述
此数字音频MosFET半桥是专门为D类音频放大器应用而设计的。

它由两个以半桥配置连接的功率MosFET开关组成。

最新工艺用于实现每个硅面积的低导通电阻。此外，

优化了栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，

以改善D类音频放大器的关键性能指标，例如效率，

THD和EMI。这些结合在一起使该半桥成为用于

D类音频放大器应用的高效，坚固和可靠的设备。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	150	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	8.7	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	6.2
IDM	Pulsed Drain Current CD	34
EAS	Single Pulse Avalanche Energy@	77	mJ
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation ©	18	W
P_D @T_C = 100°C	Power Dissipation ©	7.2	W
	Linear Derating Factor	0.15	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb·in (1.1N·m)

型号/规格

IRFI4019H-117P

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装