IRFH8311TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：80 A
Rds漏源导通电阻：2.1毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.35 V
Qg-血浆甲醛：30 nC
最小工作温度：-55°C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：3.6 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：83 S
下降时间：12 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：26 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：21 ns
典型中断时间：21 ns
零件号别名：IRFH8311TRPBF SP001564136

应用领域
高频降压转换器的同步MOSFET
特征
对PCB的低热阻（<1.3°C / W）
薄型（<1.2mm）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格
好处
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	32	A
ID @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	26
ID @ TC(Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	169®0
ID @ TC(Bottom) = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	107®0
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	800
IDM	Pulsed Drain Current CD	400
PD @T_A = 25°C	Power Dissipation cr)	3.6	W
PD @TC(Bottom) = 25°C	Power Dissipation cr)	96	W
	Linear Derating Factor cr)	0.029	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFH8311TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装