IRFHM9331TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
认证:

深圳市凯斯宇科技有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:P-Channel
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:11 A
Rds上漏源导通电阻:11.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-血浆甲醛:16 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.8 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1毫米
长度:3 mm
晶体管类型:1 P通道
宽度:3毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:16 S
下降时间:60 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:27 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:72 ns
典型起始延迟时间:11 ns
零件号别名:IRFHM9331TRPBF SP001556510
单位重量:25.050毫克
应用领域
系统/负载开关
特征
低热阻PCB(<6.0°C / W)
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1,消费者资格认证
好处
实现更好的散热
易于制造
环保
可靠性更高

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

-30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 25

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-11

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-9

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-240

ID @ TC = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-24

IDM

Pulsed Drain Current Q)

-90

PD @TA = 25°C

Power Dissipation @

2.8

W

PD @ TA = 70°C

Power Dissipation @

1.8

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRFHM9331TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装