IRF630NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:11 A
Rds上漏源导通电阻:17.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:6.2 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF8707TRPBF SP001555780
单位重量:540毫克
特征

•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•轻松并行
•简单的驱动器要求
•无铅
描述
第五代HEXFET®国际整流器利用先进的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业应用。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
D2Pak是一种表面安装电源封装,能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中,它都具有最高的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低,因此适合大电流应用,在典型的表面安装应用中,其耗散功率高达2.0W。
通孔版本(IRF630NL)可用于薄型应用。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

9.3

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

6.5

IDM

Pulsed Drain Current G)

37

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

82

W

 

Linear Derating Factor

0.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

±20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy(£

94

mJ

IAR

Avalanche CurrentG)

9.3

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyG)

8.2

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt @

8.1

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to +175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 srew©

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF630NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装