IRF630NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：11 A
Rds上漏源导通电阻：17.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：6.2 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF8707TRPBF SP001555780
单位重量：540毫克
特征

•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•轻松并行
•简单的驱动器要求
•无铅
描述
第五代HEXFET®国际整流器利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业应用。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中，它都具有最高的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，因此适合大电流应用，在典型的表面安装应用中，其耗散功率高达2.0W。
通孔版本（IRF630NL）可用于薄型应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	9.3	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	6.5
IDM	Pulsed Drain Current G)	37
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	82	W
	Linear Derating Factor	0.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy(￡	94	mJ
IAR	Avalanche CurrentG)	9.3	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyG)	8.2	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt @	8.1	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to +175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew©	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF630NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装