IRF9328TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：12 A
Rds上漏源导通电阻：16.1毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-萘甲酸：18 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：20 S
下降时间：66 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：57 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：80 ns
典型中断时间：19 ns
零件号别名：IRF9328TRPBF SP001560146
单位重量：506.600毫克
特征

工业标准SO8封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
好处

多厂商兼容性
环保
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
V DS	Drain-to-Source Voltage	-30	V
V GS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_A = 25°C	Conti nuous Drain Current, VGS @ 10V	-12	A
ID @ TA = 70°C	Conti nuous Drain Current, VGS @ 10V	-9.6
IDM	Pulsed Drain Current CD	-96
PD @TA = 25°C	Power Dissipation ©	2.5	W
PD @TA = 70°C	Power Dissipation ©	1.6	W
	Linear Derating Factor	0.02	W/°C
TJ TSTG	Operat ing Juncti on and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJL	Junction-to-Drain Lead @	–––	20	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient ®	–––	50	°C/W

雪崩特性

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJL	Junction-to-Drain Lead @	–––	20	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient ®	–––	50	°C/W

型号/规格

IRF9328TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装